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·硅粉 Silicon powder 7440-21-3
编号:11240
品牌:默认品牌   [查询该品牌全部商品]
单位:瓶
重量:500 克
中文名称: 硅
中文同义词: 硅;多晶硅;工业硅;结晶硅;硅粉;硅微粉;单晶硅;金属硅
英文名称: Silicon
英文同义词: SIMP AX05;SIMP AX10;SIMP AX20;SILICON ATOMIC ABSORPTION SINGLE ELEMENT STANDARD;SILICON ATOMIC ABSORPTION STANDARD;SILICON ATOMIC ABSORPTION STANDARD SOLUTION;SILICON ATOMIC SPECTROSCOPY STANDARD;SILICON ICP/DCP STANDARD
CAS号: 7440-21-3
分子式: H4Si
分子量: 32.12
EINECS号: 231-130-8
相关类别: Inorganics;镀膜材料;SiliconNanomaterials;14: Si;Nanomaterials;Nanoparticles: Metals and Metal AlloysMetal and Ceramic Science;Nanopowders and Nanoparticle Dispersions;Pure ElementsMetal and Ceramic Science;Electronic Chemicals;Electronic Materials;Materials Science;Micro/Nanoelectronics;Metal and Ceramic Science;Metals;有机硅氧聚合物;硅烷试剂;Cu单质;无机化工产品;无机盐;metal or element;类金属;分析标准品;非金属;粉体;硅
Mol文件: 7440-21-3.mol



硅 性质
熔点 1410 °C(lit.)

沸点 2355 °C(lit.)

密度 2.33 g/mL at 25 °C(lit.)

储存条件 Flammables area
form powder

水溶解性 INSOLUBLE
Merck 13,8565
稳定性 Stable. Fine powder is highly flammable. Incompatible with oxidizing agents, bases, carbonates, alkali metals, lead and aluminium oxides, halogens, carbides, formic acid.
CAS 数据库 7440-21-3(CAS DataBase Reference)
NIST化学物质信息 Silicon(7440-21-3)
EPA化学物质信息 Silicon(7440-21-3)


硅 用途与合成方法
毒性 三氯氢硅对人体有毒,其蒸气有窒息性臭味,强烈刺激呼吸道黏膜;其水解产物氯化氢、二氧化硅对肺有刺激,长期吸人可导致贫血。三氯氢硅最高容许浓度为1mg/m3。
生产设备要密闭,车间通风应良好。生产人员工作时要佩戴防毒口罩,密闭眼镜,穿工作服等劳动保护用品,以防止呼吸器官、眼睛和皮肤接触。中毒者应立即转移到新鲜空气中进行人工呼吸、输氧,注射葡萄糖及强心剂,并迅速送医院治疗。
化学性质 具有灰色金属光泽的晶体。 溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。
用途 用作制造单晶硅的原料,还用于电子工业
用途 是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等
用途 用于制造半导体分立器件、功率器件、集成电路和外延衬底等。
用途 主要用于制多晶硅、单晶硅、硅铝合金及硅钢合金等
用途 用于制晶体管、整流器和太阳能电池,还用于制高硅铸铁、硅钢、各种有机硅化合物等
用途 用作制备单晶硅的原料。
用途 主要用作制多晶硅、单晶硅、硅铝合金及硅钢合金的化合物
生产方法 三氯氢硅法将干燥的硅粉加入合成炉中,与通人的干燥氯化氢气体在280~330℃有氯化亚铜催化剂存在下进行氯化反应,反应气体经旋风分离除去杂质,再用氯化钙冷冻盐水将气态三氯氢硅冷凝成液体,经粗馏塔蒸馏和冷凝,除去高沸物和低沸物,再经精馏塔蒸馏和冷凝,得到精制三氯氢硅液体。纯度达到7个“9”以上、杂质含量小于1×10-7,硼要求在0.5×10-9以下。提纯后的三氯氢硅送人不锈钢制的还原炉内,用超纯氢气作还原剂,在1050~1100℃还原成硅,并以硅芯棒为载体,沉积而得多晶硅成品。其
H2+C12→2HCl
S+3HCl→SiHC13+H2
SiHCl3+H2→Si+3HCl
生产方法 工业生产有坩埚直拉法、悬浮区熔法、中子嬗变掺杂法。
坩埚直拉法拉晶前先将设备各部件、合金石英坩埚、硅多晶和籽晶进行清洁处理。
将硅多晶破碎除去石墨,经丙酮去油后,进行化学清洗,用无离子水洗至中性,再经超声波清洗,红外干燥,配料及掺杂,加入单晶炉的合金石英坩埚中,再经抽真空、熔化,在流通的氩气氛下,人工引晶放肩和收尾。晶体的等径生长过程中,需根据情况适当调节功率,使其获得直径均匀的产品,经检测、称量,制得硅单晶成品。
悬浮区熔法先将设备和原料清洁处理,把硅多晶切断,磨后用丙酮去油,进行化学清洗,用无离子水洗至中性,再经超声波清洗,红外干燥,配料和掺杂,装炉,抽真空或充氩气。在氩气下高频加热进行区熔提纯单晶。预热、引晶、放肩、等径、收尾等过程,由人工控制。再经检测、称量,制得硅单晶成品。
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